Charakterystyka fotorezystora (CdS) a) widmowa (przedstawia zale Ŝno ść czuło ści widma S(λ)rel od długo ści fali λ fotorezystora z CdS); b) pr ądowo - napi ęciowa przy ró Ŝnym oświetleniu 6. Zale Ŝno ść rezystancji fotorezystora od nat ęŜenia o świetlenia 7.Od materiału półprzewodnikowego zależy zakres widmowy lS1, lS2 wykrywanego promieniowania, czyli zakres długości fal, dla którego czułość fotorezystora wynosi nie mniej niż 10% czułości maksymalnej. Dla światła widzialnego fotorezystory wykonuje się z krzemu, PbS, PbTe, a dla podczerwieni z InSb, PbSnTe, HgCdTe.1.3.20. Charakterystyka widmowa (RE/2) lub le (2) - zależność rezystancji jasnej lub prądu jas nego od długości fali promieniowania padającego na powierzchnię czynną fotorezystora. 1.3.21. Charakterystyka rezystancyjno-tempera turowa (RE/t) - zależność rezystancji jasnej RE od temperatury t dla określonych wartości natężeCharakterystyki te są liniowe w dużym zakresie napięć i prądów. Rys.9.5. Charakterystyka prądowo - napięciowa fotorezystora. Fotorezystory wykonuje się najczęściej w postaci cienkich półprzewodnikowych warstw monokrystalicznych lub polikrystalicznych naniesionych izolacyjne np. szklane podłoże (rys.9.6a).Fotorezystor charakteryzuje się nieliniową charakterystyką prądowo-napieciową (rys.6) i nieliniowymi charakterystykami oświetleniowymi (rys.7) Rys.6.
Przykładowe charakterystyki prądowo-napieciowe fotorezystora.
Rys.7. Przykładowe charakterystyki oświetleniowe fotorezystora: a) zależność prądu fotoelektrycznego od strumieniaOd substancji półprzewodnikowej uzależniony jest zakres widmowy lS1, lS2 odkrywanego promieniowania, czyli zakres długości fal, gdzie czułość fotorezystora równa jest nie więcej aniżeli 10% czułości największej. Minusem fotorezystora jest wrażliwość temperaturowa.Charakterystyki częstotliwościowe elementów i układów określają własności w przypadku okresowych sygnałów wejściowych. Są one wykresami transmitancji widmowej elementów lubCharakterystyka widmowa fotorezystora CdS jest zbliżona do charakterystyki oka ludzkiego. Czujniki elektrochemiczne Bywają .Tematy o fotorezystor charakterystyka, Fotorezystor na podczerwień?, Jaka jest zależność oporu od długości fali przy doborze fotorezystora dla LED ?, Fotorezystor + Wyświetlacze 7 segmentowe = ściemnianie, Jakiego elementu można użyć zamiast fotorezystora do pomiaru nasłoneczenieniaCharakterystyka widmowa - funkcja określająca zależność pewnego parametru od częstotliwości (lub długości fali). Jeżeli częstotliwość oznaczymy przez , to charakterystyką widmową parametru jest funkcja (). Podobnie, przyjmując jako długość fali , można przyjąć za charakterystykę widmową ().Podstawowe parametry fotorezystora to: czułość widmowa, rezystancja ciemna i jasna, napięcie robocze i moc strat.
Fotooporniki wykonuje się z m.in.
Se, Tl 2 S, Bi 2 S 3, PbS, CdS, CdSe, PbTe, PbSe. Fotooporniki wykorzystywane są w automatyce i fotometrii.Parametrem charakteryzującym fototranzystor jest czułość widmowa. Określa ona zakres promieniowania optycznego, w którym efekt działania jest największy. Na ogół jest to długość fali 750 ÷ 900 nm. Niektóre fototranzystory mają wyprowadzoną bramkę, dzięki czemu mogą być również sterowane elektrycznie. Zastosowania:charakterystyka widmowa promieniowania źródła światła cordis Ponadto, dzięki regulacji dyfuzji chlorku fosforylu (POCl3) oraz metalizacji czołowej, IMEC był w stanie uzyskać niebieską charakterystykę widmową ogniwa.Światłoczułą część fotorezystora stanowi zwykle cienka warstwa półprzewodnika umieszczona na podłożu izolacyjnym razem z elektrodami metalowymi; w obudowie fotorezystora znajduje się otwór do przepuszczania promieniowania. Charakterystyka widmowa fotodiody zależy od rodzaju .Materiałem użytym do ich wykonania jest krzem, selen lub arsenek galu. Czułość widmowa fotodiod krzemowych maksimum osiąga dla długości fali 700 - 900 nm, co akurat pokrywa się z maksimum promieniowania fotoemiterów, które wykonane są z arsenku galu.nie no charakterystyka widmowa się zgadza, światło widzialne jest detekowane przez tą fotodiodę. Kiedy oświetlę ją powyżej pewnego progu natężenia światła widać że na woltomierzu ( mierzącym napięcie na samej diodzie niewpiętej do żadnego obwodu) mam wartość 0,38V a przy zaciemnionym fotodetektorze mam.5.1 Charakterystyka amplitudowo-fazowa Graficznym obrazem charakterystyki widmowej jest charakterystyka amplitudowo- fazowa, np.
: Transmitancja widmowa jest liczb ą zespolon ą, a wi ęc wyznacza dla ka Ŝdej pulsacji ωi na płaszczy.
Układ do pomiaru .Charakterystyki Ci nie podam, bo jej nie znam. Moge tylko stwierdzic ze swieci na rozowo-czerwono (fajnie wybarwia czerwone rybki), ale ogolnie w akwa zrobilo sie troche "landrynkowo" (stety lub niestety, rzecz gustu). Ostatecznie zmienilem na Sun-Glo i teraz mi sie podoba (cos kolo 20 zl, wiec roznica niewielka. Pozdrawiam. Jako druga mam .Charakterystyki prądowo napięciowe fotorezystora dla różnych wartości natężenia oświetlenia. Najczęściej można spotkać fotorezystory wykonane z takich materiałów jak: siarczek ołowiowy (PbS), telurek ołowiowy (PbTe), samoistny albo odpowiednio aktywowany german (Ge), antymonek indowy (InSb), oraz siarczek kadmowy (CdS).A. BADANIE CHARAKTERYSTYKI WIDMOWEJ OGNIWA FOTOELEKTRYCZNEGO Aby zbadać czułość fotoogniwa, należałoby oświetlać ogniwo światłem o zmieniającej się długości fali (barwie), ale o stałym natężeniu.
Ponieważ uzyskanie źródła światła o stałym natężeniu w całym zakresieWitam.
Z noty katalogowej fotorezystora wynika, że rezystancja ciemna wynosi 500k Ohmów, natomiast przy dziesięciu luxach typowa to 48k Ohm. Fotorezystor nie jest elementem liniowym. Jak więc zatem wyznaczyć jego charakterystykę (zależność strumienia światła od rezystancji)? Czy .siarczek kadmowy (CdS). Charakterystykę rezystancyjno - oświetleniową przedstawia zależność rezystancji R E fotorezystora od natężenia oświetlenia E może być opisana w przybliżeniu wzorem empirycznym: gdzie R0 jest rezystancją fotorezystora przy natężeniu E0 (zwykle 10 lx),mieniowania, którego charakterystyka spektralna wypro mieniowanej energii jest zgodna z prawem Plancka. 1.4.6. czułość napięciowa (Su) - stosunek napięcia syg nału (lJs ) do mocy promieniowania (W) ciała doskonale czarnego o określonej temperaturze, padającego na po wierzchnię czynną fotorezystora. 1.4.7.Last activity. My flashcards. Saved flashcardsTa linia nie jest prosta. Powinna być prosta - bo to rezystor o charakterystyce liniowej. W tabeli widać pewne niedokładności pomiaru - takie prądy należało mierzyć miernikiem dokładniej np. 0,04mA mierzono albo na zakresie 20,00mA - bardzo niedokładny pomiar, albo np. na zakresie 2,000mA ale odczytano tylko 0,04mA a należało odczytać 01. Pomiar charakterystyki fotorezystora Zależność rezystancji fotorezystora od oświetlenia zmierzyć w układzie jak na Rys. 4 a wykreślić w liniowym układzie współrzędnych zależności R-1=f(E) gdzie: R - rezystancja fotorezystora, E - natężenie oświetlenia wyrażone w klx (kilo-luksach). omomierz Φ Rys. 4.Podstawowym parametrem fotorezystora jest czułość widmowa (zależność re-zystancji od natężenia oświetlenia - rys. 11.5). Na wartość czułości wpływa rodzaj materiału i sposób jego domieszkowania - dobierane ze względu na przeznaczenie fotorezystora (rys. 11.6). 11.6. Charakterystyka czułości wid-mowej fotorezystora .charakterystyka widmowa taka jak na Rys.22 oznacza że moc optyczna badanego emitera wyszła poza zakres pomiarowy detektora i nastąpiło jego nasycenie. Należy wtedy postępować według punktów zawartych w pkt.4. Rys.21 Prawidłowy kształt charakterystyki widmowej.charakterystyka - tłumaczenie na angielski oraz definicja. Co znaczy i jak powiedzieć "charakterystyka" po angielsku? - characteristics, characteristic, profile, primitivism.
Brak komentarzy.