Charakterystyka fotorezystora (CdS) a) widmowa (przedstawia zale Ŝno ść czuło ści widma S(λ)rel od długo ści fali λ fotorezystora z CdS); b) pr ądowo - napi ęciowa przy ró Ŝnym oświetleniu 6. Zale Ŝno ść rezystancji fotorezystora od nat ęŜenia o świetlenia 7.Fotorezystor, fotoopornik, opornik fotoelektryczny, fotoelement oporowy - element światłoczuły, którego rezystancja zmienia się pod wpływem padającego promieniowania i nie zależy od kierunku przyłożonego napięcia, podobnie jak rezystancja zwykłego rezystora. Oświetlenie fotorezystora powoduje zwiększenie przepływającego prądu (zmniejsza się jego rezystancja).Tematy o fotorezystor charakterystyka, Fotorezystor na podczerwień?, Jaka jest zależność oporu od długości fali przy doborze fotorezystora dla LED ?, Fotorezystor + Wyświetlacze 7 segmentowe = ściemnianie, Jakiego elementu można użyć zamiast fotorezystora do pomiaru nasłoneczenieniaWitam. Z noty katalogowej fotorezystora wynika, że rezystancja ciemna wynosi 500k Ohmów, natomiast przy dziesięciu luxach typowa to 48k Ohm. Fotorezystor nie jest elementem liniowym. Jak więc zatem wyznaczyć jego charakterystykę (zależność strumienia światła od rezystancji)? Czy .Wszystko o Jak zrobić charakterystykę fotorezystora bardziej liniową ? witam.podlaczylem fotorezystor w ukladzie dzielnika napiecia wraz z rezystorem, zPodstawowe parametry fotorezystora to: czułość widmowa, rezystancja ciemna i jasna, napięcie robocze i moc strat.
Fotooporniki wykonuje się z m.in.
Se, Tl 2 S, Bi 2 S 3, PbS, CdS, CdSe, PbTe, PbSe. Fotooporniki wykorzystywane są w automatyce i fotometrii.Charakterystyki te są liniowe w dużym zakresie napięć i prądów. Rys.9.5. Charakterystyka prądowo - napięciowa fotorezystora. Fotorezystory wykonuje się najczęściej w postaci cienkich półprzewodnikowych warstw monokrystalicznych lub polikrystalicznych naniesionych izolacyjne np. szklane podłoże (rys.9.6a).- dobra charakterystyka widma; - zakres temperatur pracy od -40°C do +85°C. Karta katalogowa (datasheet): Aktualne ceny i dostępność prosimy sprawdzać w sklepie internetowym! lub pytać e-mailem4. Charakterystyka pr ądowo - napi ęciowa fotodiody Pr ąd fotodiody wzrasta proporcjonalnie do mocy promieniowania P e , a czułość elementu na moc promieniowania (stosunek zmiany pr ądu do mocy padaj ącego promieniowania) jest stała w szerokim zakresie. Zalety fotodiody: du Ŝa cz ęstotliwo ść pracy ( do kilkuset MHz)Termistor - typ opornika, którego rezystancja (opór) znacznie zależy od temperatury, tzn. w dużo większym stopniu niż w przypadku standardowych oporników.Najczęściej półprzewodnikowy lub metalowy.Wykonuje się je z tlenków: manganu, niklu, kobaltu, miedzi, glinu, wanadu i litu.Od rodzaju i proporcji użytych tlenków zależą właściwości termistora.fotorezystora stanowi stanowi cienka warstwa półprzewodnika osadzona na podłożu dielektrycznym wraz z elektrodami metalowymi doprowadzającymi prąd ze źródła zewnętrznego.
Całość umieszcza się w obudowie z okienkiem,.
Charakterystyka czułościCharakterystyka prądowo - napięciowa fotorezystora. Fotorezystory buduje się na ogół z cienkich półprzewodnikowych warstw monokrystalicznych albo polikrystalicznych nałożonych izolacyjne np. szklane podłoże (rys.9.6a).2.1 Pomiar charakterystyki fotorezystora Zależność rezystancji fotorezystora od oświetlenia należy zmierzyć w układzie jak na Rys.5, a -wykreślić w liniowym układzie współrzędnych jako zależność R1=f(E) gdzie: R - rezystancja fotorezystora, E - natężenie oświetlenia wyrażone w klx (kiloluksach). Układ do pomiaru .Warystor - półprzewodnikowy podzespół elektroniczny (rezystor), o nieliniowej charakterystyce rezystancji, zależnej od napięcia elektrycznego.Dla małych napięć wykazuje on dużą rezystancję, gdy napięcie przekroczy pewną wartość, charakterystyczną dla danego typu warystora, jego rezystancja szybko maleje, z początkowych setek kiloomów do zaledwie kilkunastu omów.Nie, na razie to jest tylko proof of concept. Ale nie ma powodu, dla którego miałoby to nie działać. Oczywiście sterowanie będzie nieliniowe, gdyż charakterystyka fotorezystora jest logarytmiczna. Oczywiście można ją zlinearyzować dzielnikiem i równoległym rezystorem. Z drugiej strony charakterystyka.Charakterystyki fotorezystora. Rys.7. Charakterystyki fotodiody.
Fototranzystory i transoptory.
Fototranzystor przekształca energię świetlną w energię elektryczną. W czasie pracy fototranzystora spolaryzowane zaporowo złącze baza-kolektor jest oświetlone, co ma wpływ na wartość .Fotorezystory mają rozrzuty charakterystyki R=f(E) dochodzące do kilku procent. 2.1 Charakterystyki fotorezystora GL55 2.2 Fotodioda Czujnik - fotodioda krzemowa wykonana jest podobnie jak dioda prostownicza z tym , że w obudowie znajduje się okno przepuszczające światło (rysunek 2.2). Charakterystyka I=f(U)Oświetlenie fotorezystora spowoduje, że zwiększy się przepływ prądu (pomniejszy się natomiast jego rezystancja). Prąd który jest różnicą całkowitego prądu przepływającego przez fotorezystor oraz prądu ciemnego (prąd przepływający przez fotorezystor gdy nie ma oświetlenia) nazywa się prądem fotoelektrycznym.1. Pomiar charakterystyki fotorezystora Zależność rezystancji fotorezystora od oświetlenia zmierzyć w układzie jak na Rys. 4 a wykreślić w liniowym układzie współrzędnych zależności R-1=f(E) gdzie: R - rezystancja fotorezystora, E - natężenie oświetlenia wyrażone w klx (kilo-luksach). omomierz Φ Rys. 4.Fotorezystor charakteryzuje się nieliniową charakterystyką prądowo-napieciową (rys.6) i nieliniowymi charakterystykami oświetleniowymi (rys.7) Rys.6. Przykładowe charakterystyki prądowo-napieciowe fotorezystora.
Rys.7.
Przykładowe charakterystyki oświetleniowe fotorezystora: a) zależność prądu fotoelektrycznego od strumieniaObszar pracy fotodiody leży w III ćwiartce jej charakterystyki. Natomiast w drugiej ćwiartce pracuje ona jako fotoogniwo. Przy oświetleniu fotodiody, w pobliżu jej powierzchni są generowane. fotoelektrycznego, nawet 700 razy. Prąd ICE oświetlonego fotorezystora jest sumą prądów .witam. gdy jest dosc jasno rezystancja fotorezystora jest bliska zeru, badz tez miniwalnej wartosci mozliwej rezystancji, gdy sciemni sie tylko "troszke" to rezystancja wzrasta o spora wartosc. nastepnie przy niewielkim zmniejszaniu oswietlenia dochodzi do ok 80% zakresu i wtedy zaczyna rosnac juz bardzo powoli.1.3.20. Charakterystyka widmowa (RE/2) lub le (2) - zależność rezystancji jasnej lub prądu jas nego od długości fali promieniowania padającego na powierzchnię czynną fotorezystora. 1.3.21. Charakterystyka rezystancyjno-tempera turowa (RE/t) - zależność rezystancji jasnej RE od temperatury t dla określonych wartości natężektórego charakterystykę spektralną przedstawiono na rys. Drugim elementem jest fotodioda BPYP30 - element o nieznanej (w ćwiczeniu) charakterystyce spektralnej. 0 20 40 60 80 100 400 500 600 700 800 900 I [%] λ [nm] Rys. Charakterystyka spektralna fotorezystora RPP 130 Tabela 1. Charakterystyka spektralna fotorezystora RPP 130 .Charakterystyka fotorezystora selenowego Opór elementu jest funkcją padającego strumienia świetlnego, a dokładniej natężenia oświetlenia. Elementy fotooporowe Fotorezystory wykonuje się z takich materiałów jak:2. Charakterystyki czułości napięciowej fotorezystora PbSe w funkcji temperatury Na rysunku 1 przedstawiono typową charakterystykę napięciowej czułości względnej fotorezystora PbSe w funkcji temperatury [1]. Typowa charakterystyka napięciowej czułości względnej fotorezystora PbSe (wg fi rmy Hamamatsu)Przykładowe charakterystyki fotorezystora w zależności od wartości natężenia światła. Wykorzystując wirtualny przyrząd pomiarowy przedstawiony na rysunku 46 należy zapoznać się z charakterystyką fotodiody dla kilku natężeń oświetlenia podanych przez prowadzącego ćwiczenie .Poniżej charakterystyka fotorezystora w zależności od długości fali światła (koloru), z której wynika, że maksimum przypada dla długości fali 540nm (światło o barwie zielonej). Z dokumentacji producenta fotorezystora wynika, że natężenie 100Lx uzyskujemy przy zakresie oporu 4.2kOhm - 7.5kOhm.ĆWICZENIE NR 3 POMIARY SPEKTROFOTOMETRYCZNE Cel ćwiczenia Poznanie podstawowej metody określania biochemicznych parametrów płynów ustrojowych oraz wymagań technicznych stawianych urządzeniu pomiarowemu.Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Opracował zespół: Marek Panek, Waldemar Oleszkiewicz, Ryszard Korbutowicz, Iwona Zborowska-Lindert, Bogdan Paszkiewicz, Małgorzata Kramkowska, Zdzisław Synowiec,.
Brak komentarzy.