Tranzystor bipolarny (dawniej: tranzystor warstwowy, tranzystor złączowy) to odmiana tranzystora, półprzewodnikowy element elektroniczny, mający zdolność wzmacniania sygnału. Zbudowany jest z trzech warstw półprzewodnika o różnym typie przewodnictwa. Charakteryzuje się tym, że niewielki prąd płynący pomiędzy dwiema jego elektrodami (nazywanymi bazą i emiterem) steruje .Charakterystyka ta ma charakter wykładniczy. 3) Charakterystyka wejściowa opisuje zależność prądu bazy I B od napięcia baza-emiter U BE, przy stałym napięciu kolektor-emiter U CE. Charakterystyka ta, podobnie jak i następna jest wykorzystywana rzadziej od dwóch wcześniejszych.Na rys.4.1.7 pokazana jest charakterystyka wyjściowa tranzystora, która przedstawia zależność prądu kolektora I C od napięcia kolektor-emiter U CE przy doprowadzonym napięciu wejściowym baza-emiter U BE. Z charakterystyki tej można stwierdzić, że: powyżej pewnego napięcia prąd kolektora prawie nie zależy od napięcia U CE,Rys. Charakterystyka wyjściowa tranzystora bipolarnego npn (BD145) w układzie WE Na charakterystyce wyjściowej naniesiono dodatkowe linie: · rozdzielającą obszar pracy aktywnej (złącze baza-kolektor spolaryzowane w kierunku zaporowym) i obszar nasycenia (złącze baza-kolektor spolaryzowane w kierunku przewodzenia),IC=f (IB,UCE=const) tranzystora.
Wykonanie pomiarów polega na wyznaczeniu rodzin w/w charakterystyk dla zadanych przez prowadzącego.
3.2.Przygotowanie stanowiska do pomiarów a) Odłączyć wszystkie urządzenia od zasilaniaW kolejnym tutorialu dotyczącym tranzystorów bipolarnych przyjrzymy się przeciwstawnej formie tranzystora NPN, zwanej tranzystorem PNP. Pokażemy, że tranzystor PNP ma bardzo podobne charakterystyki do bipolarnego tranzystora NPN, z wyjątkiem tego, że kierunki prądu i napięcia są odwrócone.Tranzystor bipolarny npn - charakterystyka wejściowa. Charakterystyka wejściowa tranzystora bipolarnego npn przedstawia zależność prądu bazy I B w funkcji napięcia pomiędzy bazą i emiterem U BE, przy ustalonej wartości napięcia pomiędzy kolektorem i emiterem → I B f(U BE) przy U CE =constant.Charakterystyki tranzystora polowego Na rysunku 4.2.5 przedstawiona jest charakterystyka wyjściowa I D (U DS) tranzystora MOSFET z kanałem typu n, którego struktura przedstawiona jest na rys. 4.2.4. Cały obszar charakterystyki wyjściowej można podzielić na dwie części: obszar nasycenia i obszar nienasycenia (liniowy).Charakterystyki tranzystora bipolarnego. Witam, Mój problem dotyczy charakterystyki tranzystora bipolarnego.Otóż na laboratorium należało wykonać pomiary dla tranzystora w układzie wspólnego emitera.
Zmierzyć charakterystyki Ic(Uce) i Ube(Uce).
Charakterystyka pierwsza jest w miarę podobna do właściwej, natomiast dziwi mnie fakt, że mierząc.Charakterystyki tranzystora bipolarnego IC=f(IB) przy UCE= const, lecz gdy robimy wykres wygląda on ostatecznie identycznie jak charakterystyka wejściowa Bo tak ma wyglądać - podobnie. (2)Tabela 1: Charakterystyka wejściowa i przejściowa tranzystora bipolarnego U CE = I B[ A] U BE[V] ooooooooooo ooooooooooo U CE = I B[ A] I C[mA] ooooooooooo ooooooooooo Tabela 2: Charakterystyki wyjściowe tranzystora bipolarnego I B1 = 25 A U CE[V] I C[mA] ooooooooo ooooooooo 15 I B2 = 50 A U CE[V] I C[mA] ooooooooo ooooooooo 10 I B3 = 75 A U .Charakterystyka wejściowa tranzystora bipolarnego npn (BD145) w układzie WE, jej przebieg praktycznie nie zależy od parametru UCE 6 1.4 Parametry małosygnałowe tranzystora bipolarnego Jak widać wszystkie charakterystyki tranzystora bipolarnego są nieliniowe.charakterystyki wyjściowe Iwy(UWy) dla lWE = const. Rys.2.3 Przyk ł adowe charakterystyki statyczne tranzystora bipolarnego w uk ł adzie wspólnego emitera: (a) charakterystyka wej ś ciowa, (b) charakterystyka przej ś ciowa, (c) charakterystyka oddzia ł ywania wstecznego,Charakterystyki tranzystorów BC 107 A. W lewym górnym rogu jest charakterystyka WYJŚCIOWA, tranzystor jest w nasyniu jeśli w przy wzroście prądu bazy prąd w kolektorze nie wzrasta.
Więc obszar nasycenie znajduje się po lewej stronie tego wykresu (Uce bardzo małe), zauważ że linie.
Charakterystyka wejściowa tranzystora bipolarnego pnp przedstawia zależność prądu bazy I B w funkcji napięcia pomiędzy bazą i emiterem U BE, przy ustalonej wartości napięcia pomiędzy kolektorem i emiterem → I B f(U BE) przy U CE =constant.Charakterystyka przejściowa tranzystora to zależność prądu kolektora IC od napięcia baza-emiter UBE. Charakterystyka ta ma charakter wykładniczy: )BE E T U U U (7) Charakterystyka wyjściowa to zależność prądu kolektora od napięcia kolektor-emiter UCE przy doprowadzonym napięciu wejściowym baza-emiter. Z charakterystyki tej .Podsumowanie tranzystora bipolarnego. Podsumowując, zachowanie tranzystora bipolarnego w każdym spośród powyższych układów jest bardzo różne i daje różne charakterystyki układu. Różnią się: impedancja wyjściowa, impedancja wejściowa oraz wzmocnienia - napięciowe, prądowe i mocy - co zostało zebrane w tabeli poniżej.Charakterystyki pr ądowo - napi ęciowe tranzystora opisuj ą jego zachowanie dla pr ądów stałych, a tak że umo żliwiaj ą analiz ę przenoszenia sygnałów zmiennych.
Najwa żniejsze charakterystyki tranzystora bipolarnego, pracuj ącego w układzie wspólnego emitera, który.
Typowe charakterystyki tranzystora w układzie wspólnego emitera (OE) są pokazane na rys.3. Spośród tych charakterystyk największe znaczenie praktyczne ma charakterystyka wyjściowa. Jest onacharakterystyki wejściowe: 2 11() t U charakterystyki wyjściowe: 1 22() t U charakterystyki przejściowe: 2 21() t I charakterystyki zwrotne: 1 12 I const U f U Rys.1. Tranzystor jako czwórnik Do opisu tranzystora pracującego w zakresie małych częstotliwości najczęściej stosuje się parametry czwórnika typu [h].wyjściowego. Sygnał wyjściowy jest funkcją sygnału wejściowego. Wzmacniacz tranzystorowy jest specjalnym, sterowanym dzielnikiem napięcia zasilającego. Jednym z rezystorów w tym dzielniku jest tranzystor. Dla tranzystora bipolarnego mamy trzy podstawowe układy wzmacniające : WEJŚCIE WYJŚCIE ZASILANIE WYPROWADZENIE WSPÓLNE .Od czego zależy współczynnik stabilizacji. 14) Narysuj charakterystyki I(U) nieoświetlonej i oświetlonej fotodiody. Co to jest napięcie fotoelektryczne. 15) Co to jest dioda pojemnościowa i gdzie się ją stosuje? 16) Opisz zasadę działania tranzystora bipolarnego. 17) Narysuj charakterystyki statyczne BJT w konfiguracji CE/CB. 18) Na .W interpretacji graficznej g m oznacza tangens kąta nachylenia stycznej do charakterystyki przejściowej w określonym punkcie. Wyznaczając w analogiczny sposób nachylenie stycznej do charakterystyki wyjściowej w punkcie otrzymać można drugi ważny parametr tranzystora g ds zwany konduktancją drenu lub konduktancją wyjściową.Podstawowe struktury tranzystora bipolarnego EC B NNP P N P Wymagania:1. Tranzystory 4 Charakterystyki I-U tranzystora NPN I C I C 1 1I C 2 2. Charakterystyka wejściowa tranzystora NPN U BE A U CE I B I B [μA] U BE [V] Si U CE =const U CE >U BE 0 0,7V. Tranzystory 6Pobierz cały dokument 02.tranzystor.bipolarny.tranzystor.bipolarny.doc rozmiar 104 KBAdmitancja wyjściowa tranzystora CE C E U I h22 =, IB =0 Dla zmiennych wartości napięć i prądów układ równań mieszanych przyjmie postać: ∆UBE =h 11e ∆IB+h 12e ∆UCE ∆IC=h 21e ∆IB+h 22e∆UCE W I ćwiartce rys. przedstawione są charakterystyki wyjściowe przedstawiające związek między prądem kolektora IC i napięciem .Na rys. 4.1.8 przedstawiona jest charakterystyka wejściowa pokazująca zależność prądu bazy IB od napięcia baza-emiter UBE. Charakterystyka ta ma podobnie jak charakterystyka przejściowa (rys. 4.1.6) przebieg wykładniczy tyle, że w tym przypadku nie można pominąć współczynnika m gdyż nie jest on równy jedności.Charakterystykami wejściowymi tranzystora bipolarnego nazywamy związki I B = f(U BE), przy różnych wartościach prądu bazy U CE (parametr rodziny krzywych). Ponieważ złącze baza-emiter jest diodą, więc charakterystyka wejściowa tranzystora jest praktycznie identyczna z charakterystyką diody w kierunku przewodzenia.wodników. W pracy tranzystora jako klucza, istotny jest fragment charakterystyki w obszarze nasycenia. Mimo że charakterystyka wyjściowa tranzystora MOS-FET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) wykazuje zbliżony kształt, w obszarze nasycenia jest zde-cydowanie różna. W przypadku tranzystora bipolarnego.
Brak komentarzy.